2-PD快充-捷捷微产品推荐

  PD快充的输出功率从 18W 到 100W (甚至 120W 或更大) 、支持快充协议 (USB PD3.0/3.1, USB BC1.2, UFCS T/TAF 083-2022, Qualcomm QCxx, MediaTek PExxx、Huawei S/FCP, Oppo D/FCP, Samsung AFC, Apple 2.4A, …)、配置一个或多个 USB Type-A 及 Type-C 输出接口的快充充电器日益普遍。它们能一物多用，同时为智能手机、平板、智能手表及笔记本电脑等万物互联数字化终端里面的锂电池快充。采用第三代半导体功率器件（氮化镓 D/E-mode HEMT）的设计，体积小巧以及使用时温度不会烫手，由于因近年多家世界上的排名前列的智能手机 OEM 不把充电器随着新款手机一起标配而形成曲棍球棒效应，使得这类小巧的快充充电器成为市场主流。

  目前市场上的快充充电器，常用的交直流电源转換拓扑是 Flyback 及 LLC。Flyback 拓扑常见于功率比较小的设计，LLC 拓扑则常见于功率较大及对交直流电源转換效率要求比较高的设计。因为 BOM 相对 LLC 拓扑最简单，ACF-Flyback 拓扑也开始被中/小功率的设计采用，特別是初级使用高压氮化镓 HEMT 的设计。无论是那种拓扑，快充充电器的內部结构示意图大概如上：

  那么，针对快充充电器的成用，捷捷微电 能提供完整的分立器件解决方案。比如，AC 输入端防浪涌的 MOV、TVS、钳制变压器漏感而对原边的高压 MOSFETs VDS_Max 产生过压的快恢复整流管、原边 PFC (75W 以上的设计) 和匹配 PWM 的高压 MOSFET、副边同步整流中/低压 MOSFETs、USB Type-A 及Type-C 端口的低压 MOSFETs 及 ESD 保护等。

  所以不论在原边使用的是传统的超结高压 MOSFET、或是日益受电路设计工程师及消费者追捧的氮化镓 D/E-mode HEMT，在拓扑的副边，捷捷微电先进 JHFET® 技术平台超结 (super-junction) 的高压 MOSFETs 在原边开关、先进 JSFET® 技术平台的中/低压 MOSFETs 在同步整流和在 USB-C® 端口电流输出开关等位置，都能提供稳定可靠而高功效的运作。

  捷捷微的产品主要聚焦在消费类、电脑及周边、工业用、通信用、及车用等的终端市场。因为深知产品必需跟应用掛钩，捷捷微电一直努力贴近市场和客戶，清楚认识那些 JSFET 及 JHFET 的参数和特性，能让客戶的产品兼具高能效和长期可靠性，同时又保持超高的性价比。花了钱的人体积和重量的不断追求，因而移动 3C (computing, communications, consumer electronics) 终端的充电器越来越短小，有限的内壳空间使工作时候的温度升高，造成充电器内部所用器件的穩定性和效能方面的要求极为严苛。JSFET 及 JHFET轻松解决了电路设计工程师所面临，合理成本和高电源转换效率这两个衝突的难题。JSFET 及 JHFET 使用先进封装如 PDFN3x3 / 5x6、TO-220 / 247 / 251 / 252 / 263、SOP-8 等，优化的框架和引接工艺不仅有效地増強热应力处理、低降热阻，同时也提升质量和可靠性，符合 RoHS 标准且不含卤素。返回搜狐，查看更加多